



Тип: внутренний; Емкость: 4 ТБ; Форм фактор: M.2 2280; Интерфейс: PCIe Gen 4.0x4; Тип NAND памяти: 3D NAND; Внешняя скорость записи: 6900 Мб/сек; Внешняя скорость считывания: 7450 Мб\с; Ударостойкость при работе: 1500G/0.5мс; Наработка на отказ: 1.5 млн. ч; Ресурс: 600 TBW